单室沉积非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池的研究  

a-Si:H/a-Si:H/μc-Si:H triple junction solar cells

作　　者：郑新霞[1] 张晓丹[1] 杨素素[1] 王光红[1] 许盛之[1] 魏长春[1] 孙建[1] 耿新华[1] 熊绍珍[1] 赵颖[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》2011年第6期819-823,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA05Z436,2009AA050602);天津市科技支撑计划(批准号:08ZCKFGX03500);国家自然科学基金(批准号:60976051);科学技术部国际合作计划重点项目(批准号:2006DFA62390,2009DFA62580);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-08-0295)资助的课题~~

摘　　要：在产业化比较成熟的单室沉积非晶硅薄膜太阳电池基础上,进行了非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池性能优化的研究.在生产线上纯单室沉积的非晶硅/非晶硅叠层太阳电池基础上,通过调节n-p隧穿结并采用自行研制开发的单室微晶硅底电池的沉积路线,获得了单室沉积的光电转换效率达到9.52%的非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池.Low-cost triple junction solar cells,which much attention has been paid to by industry,are studied in this paper.Based on the amorphous silicon/amorphous silicon tandem solar cells realized in industry using completely single chamber deposition technique,amorphous silicon/amorphous silicon/microcrystalline silicon triple junction solar cell with 9.52% conversion efficiency is fabricated by changing deposition conditions for microcrystalline bottom solar cell and n-p junction in a single chamber developed on our own.

关 键 词：硅基薄膜太阳电池 三叠层 微晶硅 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]