氧化铅玻璃掺杂对Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷的低温烧结行为及介电性能的影响  

Effect of PbO-B_2O_3-SiO_2 doping on the low-temperature sintering behavior and dielectric properties of Mg_4Nb_2O_9 ceramics

作　　者：吴怡[1] 苏丽娜[1] 梁海荣[1] 王亚娟[1] 张瑜[1] 杨敬娜[1] 荆慧霞[1] 刘鹏[1] 

机构地区：[1]陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西西安710062

出　　处：《陕西师范大学学报（自然科学版）》2011年第3期41-44,共4页Journal of Shaanxi Normal University：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51072110)

摘　　要：采用固相反应法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷.研究了氧化铅硼硅玻璃PbO-B2O3-SiO2(PBS)掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷的低温烧结行为、相结构、显微结构及其微波介电性能的影响.结果表明:采用4.0%PbO-B2O3-SiO2掺杂Mg4Nb2O9,能有效将Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度从1 400℃降低至975℃,且样品在975℃空气中烧结5 h,可获得良好的微波介电性能:rε=13.8,Q×f=37 382 GHz,τf=-1.69×10-5℃-1.The microwave dielectric ceramics Mg4Nb2O9（MN） doped with PbO-B2O3-SiO2（PBS） is prepared by conventional solid-state reaction method.The sintering behavior,phase component,microstructure and microwave dielectric properties of Mg4Nb2O9 ceramics are investigated.It is found that the sintering temperature of Mg4Nb2O9 ceramics doped with 4.0% PbO-B2O3-SiO2 is lowered from 1 400℃ to 975℃ and the optimum microwave dielectric properties are obtained（εr=13.8,Q×f=37 382 GHz,τf=-1.69×10-5℃-1） at 975℃ for 5 h.

关 键 词：相结构 低温烧结 介电性能 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理] TB333[理学—电子物理学]