半宽度为300ps超快高压电脉冲的产生与研究  

300ps Ultrafast High Voltage Electrical Pulse Generation

作　　者：刘进元[1] 山冰[1] 

机构地区：[1]中科院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室

出　　处：《电子学报》1999年第8期133-134,共2页Acta Electronica Sinica

摘　　要：本文介绍了一种高压、超快电脉冲的产生技术．该电路采用级联雪崩晶体管．电路用微波传输线结构．输出的电脉冲幅度为１～２ｋＶ、输出阻抗５０Ω、脉冲前后沿小于３００ｐｓ、脉冲半宽度为３００ｐｓ，脉冲幅度和半宽度稳定性优于５％，该电路的触发晃动为±５０ｐｓ，触发延时为８ｎｓ，输出脉冲工作频率小于１ｋＨｚ．The authors have developed an avalanche transistor based pulser.These transistors are mounted on microwave structure board.Thd output voltage ranges from 1～2kV into 50Ω load.The fall and rise time of this pulse is less than 300 picosecond.The pulse width is 300ps,trig jitter is ±50ps,trig delay is about 8ns.The repetition rate is less than 1kHz.

关 键 词：雪崩晶体管 脉冲形成线 微波传输 电脉冲产生 

分 类 号：TN782[电子电信—电路与系统]