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作 者:李焱[1] 陈建国[1] 李大义[1] 陆洋[1] 周小红[1]
机构地区:[1]四川大学光电系,成都610064
出 处:《物理学报》1999年第12期2252-2258,共7页Acta Physica Sinica
基 金:国家自然科学基金
摘 要:研究了因折射率与载流子相互关联而引起的外腔半导体激光器的双( 多) 稳特性,分析了不同条件下的各种不同形状的载流子密度双稳环及相应情况下的功率双稳环.导出了在外腔式半导体激光器的载流子频率( Nν) 或功率频率( Pν) 曲线出现多解的条件。Optical bistabilities (multistabilities),which are due to the carrier\|dependent refractive index of laser diodes (LD),observable on the output curves of tunable external cavity (EC) semiconductor lasers have been studied.As a result,various hysteresis loops with different shapes appearing on curves of N\|ν (carrier density\|oscillation frequency of external cavity semiconductor lasers) have been analyzed,and corresponding hysteresis loops on (power\|frequency) curves have been also calculated.The expression relating reflectivities and spectral broadening factor,for observing the multistability on the N\|ν (or P\|ν ) curves of ECLDs,has been established.
分 类 号:TN248.4[电子电信—物理电子学]
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