氧化铁薄膜制备方法的改进  

作　　者：周增均[1] 

机构地区：[1]北京大学物理系

出　　处：《物理》1990年第11期683-684,702,共3页Physics

基　　金：国家自然科学基金; 北京中关村地区联合分析测试中心的支持.

摘　　要：氧化铁薄膜具有很高的极限磁记录密度．然而，单相四氧化三铁薄膜的制备却对工艺条件十分敏感，并且成膜的饱和磁化强度也远低于块状样品．在溅射过程中引入水蒸气、氧气和氩气的混合气体，一方面可以大大拓宽单相四氧化三铁薄膜的制备条件，另一方面也使得饱和磁化强度增加到４５０ ｅｍｕ／ｃｍ~３以上．本文对不同的氧化铁薄膜制备方法及磁性等进行了比较．

关 键 词：氧化铁 薄膜 制备 

分 类 号：TQ585.4[化学工程—精细化工]