DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区移动的研究  

Study on the Movement of the Carrier Recombination Region in Organic Light-Emitting Diodes (OLEDs) Based on DPVBi/Alq_3

作　　者：闫光[1] 赵谡玲[1] 徐征[1] 张福俊[1] 孔超[1] 刘晓东[1] 龚伟[1] 高利岩[1] 

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044

出　　处：《光谱学与光谱分析》2011年第7期1729-1733,共5页Spectroscopy and Spectral Analysis

基　　金：国家自然科学基金项目(60978060,10974013,10804006,10774013);国家(973计划)项目(2010CB327704);北京市自然科学基金项目(1102028);教育部博士点基金项目(20070004024,20090009110027);博士点新教师基金项目(20070004031);北京交通大学优秀博士生科技创新基金项目(141049522)资助

摘　　要：制备了以结构ITO/PCBM∶PVK（xWt%,-40 nm）/DPVBi（30 nm）/Alq3（30 nm）/Al为基础的一系列有机发光二极管,利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动。通过氟化锂的阴极修饰,改变了器件的载流子注入情况;通过PCBM的浓度变化,改变了载流子的输运情况,讨论了这些因素对载流子复合区形成的影响。同时通过改变对器件所加的电压,讨论了电压对载流子复合区形成的影响,并分析了其影响的本质。Series of organic light emitting devices with basic structure of ITO/PCBM： PVK（x Wt%,-40 nm）/DPVBi（30 nm）/Alq3（30 nm）/Al were fabricated in order to investigate the carrier recombination region movement in these devices.The carrier injection-dependent,the carrier transport-dependent and the voltage-dependent carrier recombination region movements were investigated respectively by modifying cathode with lithium fluoride,by changing the doping concentration of PCBM and by changing the voltage on the devices.The physical mechanism behind the voltage-dependent carrier recombination region movement was discussed.

关 键 词：有机发光二极管 电致发光 复合区 迁移率 

分 类 号：O433.1[机械工程—光学工程]