侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用  

Application of Lateral Etching in 1.3μm Vertical-cavity Surface-emitting Lasers

作　　者：刘成[1,2] 曹春芳[1] 劳燕锋[1] 吴惠桢[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]上海空间电源研究所,上海200233

出　　处：《固体电子学研究与进展》2011年第3期305-309,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家"973"计划资助项目(2003CB314903)

摘　　要：研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了分析。采用侧向腐蚀技术制备了电流限制孔径分别为11μm和5μm的1.3μm垂直腔面发射激光器,器件在室温下均连续激射。Lateral etching technology which is widely used in vertical-cavity surface-emitting lasers（VCSELs） and other Ⅲ-Ⅴ optoelectronic devices is studied. InA1As and InP are lateral etched using C6H8O7 ： H2O2 solutions and HCl：H3PO4 solutions with stable etching rates respectively. The etching mechanism and crystal orientation selectivity are analyzed. With the current eonfinement apertures of 11 μm and 5 μm formed by Lateral etching, 1.3 μm vertical-cavity surface-emitting lasers are achieved, which exhibit continuous-wave operation under room-temperature.

关 键 词：侧向腐蚀 电流限制孔径 垂直腔面发射激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN304