功率电子器件的现状和最新进展  

Present Situation and Recent Development in Power Electronics Devices

作　　者：许平[1] 刘鹿生[2] 

机构地区：[1]<电力电子>编委会 [2]<电力电子>编辑部

出　　处：《电力电子》2011年第3期9-16,共8页Power Electronics

摘　　要：本文概述了功率电子器件的现状,介绍了用于评估功率电子器件性能的两种优值(Figure of merit)和更广泛使用功率电子器件的SEES方案预测的节能效果。最后,以优值来评估最近研发的硅功率电子器件的新结构,包括S-J MOS、LDMOS、VDMOS、IGBT、BIGT和RF功率MOS等器件结构的改进与创新。

关 键 词：功率电子 新结构 现状 创新 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]