FEA场发射微尖的一些氮化物薄膜  被引量:1

Some Nitride Films for Emission Tip of FEA

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作  者:季旭东[1] 

机构地区:[1]华东电子管厂,南京210028

出  处:《光电子技术》1999年第3期207-211,共5页Optoelectronic Technology

摘  要:一些Ⅲ主族以及过渡金属氮化物具有低逸出功以及稳定场发射的性 能,适合于用作FEA发射微尖表面的薄膜。本文对这些氮化物薄膜作了制备与性 能方面的介绍。Some nitrides of the main group Ⅲ elements and transition metal elements have the performance of low work function, high melting point and reliable emission. It' s very suitable for the film on the surface of FEA emission tips. The fabrication and perfor- mance of such films are introduced here.

关 键 词:场致发射阵列 氮化物薄膜 FED器件 显示器件 

分 类 号:TN383.1[电子电信—物理电子学] TN141

 

参考文献:

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