在P—InP衬底上制作的波长1.3um大功率高速半绝缘阻挡式V型槽内条形激光器  

作　　者：Horik.,H 陈栋训 

出　　处：《光纤通信技术》1989年第4期26-26,共1页

关 键 词：激光器 VIPS 工艺 氢化物生长 

分 类 号：TN248.405[电子电信—物理电子学]