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机构地区:[1]内蒙古大学物理学系,内蒙古呼和浩特010021
出 处:《内蒙古大学学报(自然科学版)》1999年第6期697-698,共2页Journal of Inner Mongolia University:Natural Science Edition
摘 要:采用SnCl4 水解溶液,用喷涂、退火的方法制备SnO2 薄膜,并研究了SnO2Adopted hydrolysis solution of SnCl 4,the SnO 2 films have been preparated by spraying and annealing method.The relation between electrical properties of SnO 2 films and doped impurity concentration have been investigated.
分 类 号:TN304.21[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]
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