低功耗多电源多地电压多米诺电路  

Low power dual-supply and daul-ground voltages domino circuits

作　　者：李欣欣[1] 汪金辉[1] 彭晓宏[1] 侯立刚[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电控学院集成电路与系统研究室,北京100124

出　　处：《微型机与应用》2011年第14期69-71,共3页Microcomputer & Its Applications

基　　金：国家自然科学基金(60976028);北京工业大学博士启动基金(X0002013201103;X0002014201101;X0002012200802)

摘　　要：设计了一种低功耗的多电源多地电压多米诺电路。该电路在多电源电压技术的基础上,通过提高地电压并采用共阱工艺降低功耗及优化面积。该设计采用Charter 0.35μm 2P4M N阱CMOS标准工艺完成。Spectre仿真结果表明,在相同的速度下,多电源多地电压多米诺电路比传统的多米诺电路的功耗减少了25%左右。A low power dual-supply dual-ground voltages domino circuit is presented in this paper.The domino circuit employs a high ground voltage and the shared-well technique to improve the dual-supply voltage technology and further reduce the power consumption and optimize the layout area.Based on chartered 0.35 m 2P4M CMOS technology,simulation results shows that dual-supply dual-ground voltages domino circuits save power up to 25% as compared to conventional domino circuits under the similar speed.

关 键 词：低功耗 多电源多地电压 共阱工艺 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]