高压诱导拓扑绝缘体Bi2Te3超导性研究取得进展  

作　　者：韦禾 

出　　处：《科学》2011年第4期14-14,共1页Science

摘　　要：最近，中科院物理所赵忠贤、孙力玲、周兴江等合作，利用自主研制的先进的低温一高压一磁场综合测量系统对拓扑绝缘体Bi加，单晶进行了系统研究。通过高压原位磁阻和交流磁化率的双重测量．研究了压力诱导的拓扑绝缘体至超导体的转变。并通过高压实时霍尔系数的测量，给出了压力下超导临界温度与载流子浓度及类型转变之间的定量关系。

关 键 词：BI2TE3 压力诱导 绝缘体 高压 拓扑 综合测量系统 超导性 超导临界温度 

分 类 号：O189[理学—数学]