实现三比特量子控制相位门的离子阱方案(英文)  

Implementing quantum controlled phase gates with trapped ions

作　　者：何娟[1] 丁智勇[1] 吴韬[1] 于立志[1] 倪致祥[1] 

机构地区：[1]阜阳师范学院物理与电子科学学院,安徽阜阳236029

出　　处：《量子电子学报》2011年第4期429-433,共5页Chinese Journal of Quantum Electronics

基　　金：Anhui Provincial Higher Education(2008jq1118,2009SQRZ152,2010SQRL146);Natural Science Research Project of Anhui Provincial Education Department(KJ2009B003,KJ2010B106);Youth Program of Fuyang Normal College(2008LZ01,2008LQ04)

摘　　要：提出了一个利用离子阱系统实现三比特量子控制相位门的方案。在这个方案里,只需对囚禁离子辅以单比特旋转操作并与激光发生共振相互作用便可实现三比特控制相位门。相比其他文献中控制相位门的实现方案,此方案的优势在于所用的步骤更为简便易行。另外,此方案不需要任何测量。A scheme for implementing three-qubit quantum controlled phase gate is proposed in the trap-ion system.It only requires the resonant interaction between trapped ions and lasers.Compared to the scheme in other papers,the steps needed are much less.In addition,the scheme doesn’t need any type of measurement.

关 键 词：量子信息 量子相位门 离子阱 共振 

分 类 号：O431.2[机械工程—光学工程]