双钙钛矿La_2NiMnO_6/Si薄膜异质结的电学特性研究  

Electrical Properties of La_2NiMnO_6 Film Heterojunction

作　　者：李小兵[1] 秦赛[1] 刘冬梅[1] 朱明[1] 

机构地区：[1]东南大学物理系,江苏南京210096

出　　处：《化工时刊》2011年第7期23-26,共4页Chemical Industry Times

摘　　要：通过激光脉冲沉积法(PLD)在Si衬底上沉积了双钙钛矿结构La2NiMnO6(LNMO)薄膜。用HP4284A LCR仪等分析测试手段研究了薄膜异质结的电流-电压特性和电容-电压特性。结果表明La2NiMnO6/Si异质结也表现出了与传统相似的p-n整流特性。La2NiMnO6 thin films were prepared by pulsed laser deposition （PLD） on the Si （100） substrate. The characteristics of the current - voltage （ I - V） and the capacitance- voltage （ C - V） of the La2NiMnO6 thin films heterostructure were analyzed by HP4284A LCR meter and other instruments. The results showed that the La2NiMn06/Si heterojunction had typical rectification characteristics just like the traditional p -n junction.

关 键 词：双钙钛矿 异质结 微结构 

分 类 号：TB43[一般工业技术]