中心对称半导体表面的面极化率张量及体极化率张量分析  

Analysis of the Surface Polarization Tensor and Volume Polarization Tensor near the Surface of the Centrosymmetric Semiconductor

作　　者：郝召锋[1] 阚颖慧[1] 张春平[1] 田建国[1] 

机构地区：[1]南开大学物理科学学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《南开大学学报（自然科学版）》2011年第3期48-55,61,共9页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Nankaiensis

基　　金：国家重点基础研究专项基金(2006CB921703);国家自然科学基金(60678025);跨世纪优秀人才支持计划111项目(B07013)

摘　　要：对m3m和432晶系中心对称晶体表面处面极化张量及体极化张量行了系统地分析,并且讨论了将临近表面的跃迁层对反射的二次谐波的贡献分离出来的可能性,表面对非线性光信号的这种贡献来源于表面处对称性的破缺.首次对纵模激光场在非线性介质表面导致的极化率张量的分量情况进行了分析.Systematic analysis of the surface polarization tensor and volume polarization tensor near the surface of centrosymmetric crystals of the classes m3m and 432 is given,and then the possibility of separation out a contribution to the reflected second harmonic light （SH）from a transition layer near the surface is discussed,this contribution arises from the loss of inversion symmetry.Longitudinal laser induced polarization tensor at the surface is investigated for the first time.

关 键 词：纵模激光 极化率 四极子张量 反转中心 

分 类 号：O437.1[机械工程—光学工程]