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作 者:朱方[1,2] 张兆传[1] 戴舜[1,2] 罗积润[1]
机构地区:[1]中国科学院电子学研究所,北京100190 [2]中国科学院研究生院,北京100049
出 处:《物理学报》2011年第8期200-208,共9页Acta Physica Sinica
基 金:国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA12Z124)资助的课题~~
摘 要:基于次级电子倍增动力学模型和次级电子发射曲线,运用蒙特卡罗方法模拟电介质表面具有纵向射频电场作用下的单边次级电子倍增现象,研究次级电子倍增的表面电场敏感曲线和时间演化图像.以一个S波段射频介质窗为例,计算次级电子在其介质表面的沉积功率.结果表明,纵向射频电场可能加剧电介质表面的次级电子倍增效应,易于导致介质片破裂,不利于高频能量传输.Based on the multipactor dynamic model and the secondary electron emission yield curves,the multipactor phenomenon of the secondary electron emission subjected to the longitudinal radio frequency (RF) electric field existing on a dielectric surface is simulated using the Monte Carlo method.The susceptibility curve of the electric field on the surface and the temporal evolution image of the multipactor discharge are investigated.The power deposited on the dielectric surface by the multipactor is also obtained in terms of an S-band RF dielectric window.The results show that the longitudinal RF electric field may intensify the single-surface multipactor effect,which is likely to result in dielectric crack and detrimental to RF transmission.
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