用于WCDMA发射机系统的SiGe BiCMOS上变频混频器  

Design of Up-Mixer for WCDMA Transmitter Based on SiGe BiCMOS Process

作　　者：张伟[1] 刘盛富[1] 张书霖[1] 陈磊[1] 赖宗声[1] 

机构地区：[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062

出　　处：《微电子学》2011年第4期484-487,共4页Microelectronics

基　　金：国家科技重大专项(2009ZX01034-002-002-001-02);上海市科委项目(09700713800);上海市重点学科建设项目(B411);纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心(NPAI)项目

摘　　要：设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。A 1.95 GHz up-mixer for WCDMA transmitter system was designed based on GSMC＇s 0.18-μm SiGe BiCMOS process.In this circuit,dual-balanced Gilbert structure was adopted,and current injection and multi-hyperbolic-tangent linearization were introduced to enhance its conversion gain and linearity.Simulation results demonstrated that the mixer had a conversion gain better than 6 dB,an output linearity of about 4 dBm at 1 dB compression point,and a noise figure（NF） of 15 dB.

关 键 词：上变频混频器 电流注入 多双曲正切 SiGe BICMOS WCDMA 

分 类 号：TN722.7[电子电信—电路与系统]