两步法快速退火对PMN-PT薄膜结构和性能的影响  

The effect of two-step rapid thermal anneal on the structure and property of PMN-PT thin films

作　　者：郭红力[1] 刘果[1] 李雪冬[1] 肖定全[1] 朱建国[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学与工程学院,四川成都610064

出　　处：《功能材料》2011年第8期1441-1444,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60771016)

摘　　要：采用射频磁控溅射法在LaNiO3(100)/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(PMN-PT)铁电薄膜,采用两步法快速退火法对制备的PMN-0.35PT薄膜进行了不同工艺的后处理。实验结果表明,在LaNiO3上溅射的PMN-PT薄膜呈现高度的(100)取向。对PMN-PT薄膜测试表明,在合适的两步法快速退火处理时,可以获得表面平整颗粒饱满,且铁电性能很好的薄膜,其剩余极化强度(2Pr)可以达到24μC/cm2,平均粗糙度为7.4nm,在室温1kHz的测试频率下,εr和tanδ分别为545和0.062。The 0.65Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.35PbTiO3（PMN-PT） thin films was prepared on LaNiO3（100）/SiO2/Si（100） substrate via a RF magnetron sputtering method.The PMN-PT thin films were post-annealed by two-step rapid thermal anneal in different conditions.It was indicated that PMN-PT thin films show highly（100）-orientated.This surface of the thin films by proper two-step rapid thermal anneal was smooth,dense and crack-free,also show excellent ferroelectric properties.The（2Pr） can be up to 24μC/cm2,and the RMS roughness only 7.4nm.Furthermore,dielectric constant（εr） and loss（tanδ） are 545 and 0.062,respectively.

关 键 词：射频磁控溅射 PMN-PT薄膜 快速退火(RTA) 

分 类 号：TM223[一般工业技术—材料科学与工程]