电阻转变型非挥发性存储器概述  

作　　者：李颖弢[1,2] 龙世兵[2] 吕杭炳[2] 刘琦[2] 刘肃[1] 刘明[2] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000 [2]中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029

出　　处：《科学通报》2011年第24期1967-1973,共7页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2010CB934200;2011CBA00602);国家自然科学基金(60825403;50972160)资助项目

摘　　要：随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需要一些性能参数来评判其优缺点.对RRAM器件来说,评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率.此外,还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理,不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结.最后,对RRAM存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述.

关 键 词：电阻转变存储器 电阻转变 特性参数 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]