用同步辐射X射线衍射技术分析GaN/Si外延膜的结构与应变  

Determine the structure and strain of GaN/Si epilayer by synchrotron radiation X-ray diffraction

作　　者：丁斌峰[1,2] 潘峰[2,3] 法涛[2] 成枫锋[2] 姚淑德[2] 

机构地区：[1]廊坊师范学院物理与电子信息学院,河北廊坊065000 [2]北京大学核物理与核技术国家重点实验室,北京100871 [3]陕西理工学院物理系,陕西汉中723001

出　　处：《物理实验》2011年第8期10-13,共4页Physics Experimentation

基　　金：北京大学核物理与核技术国家重点实验室开放课题支持项目(No.2011PKUC1135)

摘　　要：选用有AlN和AlGaN缓冲层的GaN/Si作为测试样品,采用同步辐射X射线衍射(SRXRD)技术对样品外延膜(GaN)的几何结构、晶格常量及其应变进行了分析.结果表明,同步辐射X射线衍射实验可以作为一种有效的技术手段,测试固体结构及应变.Applying synchrotron radiation X-ray diffraction（SRXRD） technology,the geometric structure,lattice constant and strain of GaN/Si with AlGaN and AlN interlayer were analysed and discussed.SRXRD experiment was an effective technique in testing solid structure and analyzing strain.

关 键 词：同步辐射X射线衍射 晶格常量 布拉格角 应变 

分 类 号：O72[理学—晶体学]