一种新型高电源抑制比的低压差线性稳压器  

A New Low Dropout Regulator with High Power Supply Rejection Ratio

作　　者：黄圣专[1] 周锋[1] 赵喆[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203

出　　处：《复旦学报（自然科学版）》2011年第4期457-461,469,共6页Journal of Fudan University：Natural Science

基　　金：国家科技部创新基金(09C26213103438);上海市科委创新基金(0901H102700);上海市应用材料研究基金(09700714100)资助项目

摘　　要：提出了一种新的基于前向通路结构的高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)结构,具有全负载范围内PSRR高、通路对系统稳定性影响小、电流效率高等特点.采用chart 0.35μm 5 V CMOS工艺进行电路设计仿真.后仿真结果表明,全负载范围内最差线性调整率为633μV/V.1 kHz处PSRR为76 dB@IL=10 mA.与以往高PSRR LDO相比,所提出的LDO可以在更大的负载电流范围内保持高PSRR.A new low dropout regulator（LDO） is presented,which achieves high power supply rejection ratio（PSRR） for the whole load current range from zero to maximum and high current efficiency via a feedforward transconductance（FT）.Designed with chart 0.35μm 5V CMOS process,the worst linear regulation is 633μV/V for the load current ranging from 0mA to 100mA.Post-layout simulation shows that the PSRR is 76dB at 1kHz for load current 10mA.Compared to the presented LDO,the new regulator has high PSRR for much wider load current range.

关 键 词：低压差线性稳压器 前向通路 电源抑制比 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]