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作 者:张旭琛[1] 戴庆元[1] 张亚非[1] 彭敏[1] 杜涛[1]
机构地区:[1]上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米纳米加工技术国家级重点实验室,上海200240
出 处:《固体电子学研究与进展》2011年第4期354-358,共5页Research & Progress of SSE
摘 要:针对多沟道碳纳米晶体管(MC-CNTFET)越来越接近实用化的发展现状,提出了一种多沟道碳纳米晶体管的集成电路仿真SPICE(Simulation program with integrated ciruit emphasis)模型,并基于此模型,对用多沟道碳纳米晶体管构成的环形振荡器进行了分析。结果表明,该模型能够很好地模拟多沟道碳纳米晶体管的电学特性,进一步分析表明,基于50 nm多沟道碳纳米晶体管环形振荡器的振荡频率可达90 GHz,显示出多沟道碳纳米晶体管电路具有很大的性能优势。This paper describes a novel SPICE model(simulation program with integrated circuit emphasis)for multichannel carbon-nanotube FETs(MC-CNTFET).And based on the model,this paper analyzes a MC-CNTFET based ring oscillator.The result shows the proposed model well simulates the MC-CNTFET and the ring oscillator based on 50 nm channel length MC-CNTFET can reach the frequency of 90 GHz.
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TN752
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