(Ga)_(12)N,(Ga)_(12)B荷电团簇的电子结构与磁性  

Investigation of electronic structure and magnetic properties of (Ga)_(12)N and(Ga)_(12)B charging clusters

作　　者：李顺江[1] 代武春[1] 

机构地区：[1]重庆文理学院物理系,重庆永川402160

出　　处：《重庆文理学院学报（自然科学版）》2011年第4期37-41,共5页Journal of Chongqing University of Arts and Sciences

基　　金：重庆文理学院自然科学研究项目(Y2009SW69)

摘　　要：基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似(GGA)研究20面体(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇的电子结构与磁性,系统计算了束缚能BE、中心原子到表面原子的间距、最高占据轨道(HOMO)、最低未占据轨道(LUMO)及其能隙,分析了(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇表面到中心原子间距、束缚能和HOMO与LUMO间的能隙随掺杂原子掺杂位置、带电情况不同的变化.研究表明,具有Ih对称性结构的荷电团簇更稳定,统除Ih对称性结构(Ga)12B1+荷电团簇有磁性外,其它均无磁性.Based on the first-principle,the electronic structure and magnetic properties of the icosahedral（Ga）12N and（Ga）12B clusters are investigated using the generalized gradient approximation（GGA） under the density functional theory framework,its binding energy（BE）,equilibria interatomic distance,the highest occupy molecule orbit（HOMO）,the lowest unoccupy molecule orbit（LUMO）,the gap between the highest occupy molecule orbit（HOMO） and the lowest unoccupy molecule orbit（LUMO） are calculated.The dependence of equilibria interatomic distance,binding energy and energy gap with atomic number are analysed.It is found that the charging clusters with Ih symmetry are more stable and clusters have no magnetic except（Ga）12B1＋ cluster with Ih symmetry.

关 键 词：(Ga)12B (Ga)12N荷电团簇 密度泛函 电子结构 磁性 

分 类 号：O651[理学—分析化学]