O掺杂MgF_2电子结构和光学性质的第一性原理研究  

Electronic structures and optical properties of MgF_2 doped by O:first-principle calculations

作　　者：李宗宝[1] 祝娅[1] 姚凯伦[2] 

机构地区：[1]铜仁学院物理与电子科学系,贵州铜仁554300 [2]华中科技大学物理学院,湖北武汉430074

出　　处：《分子科学学报》2011年第4期272-276,共5页Journal of Molecular Science

基　　金：贵州省教育厅自然科学基金资助项目(黔教科2008097和2009091)

摘　　要：基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了O原子不同比例(12.5%,8.33%和6.25%)掺杂MgF2晶体的几何结构、电子结构和光学性质.通过对比发现,由于O原子的掺入,体系的禁带宽度减小,材料呈现半金属性.计算也表明,O掺杂对静态介电常数和光吸收系数有重要调制作用,同时也给出了体系性质变化的物理机理.On the basis of density functional theory,the geometries,electrical structures and optical propertiesof O doped MgF2 system with different percent（12.5%,8.33%,and 6.25%） are studied by first-principlesultra-soft pseudopotential plane-wave approach.The band gap decreases with F replaced by O,and a half-me-tallicity is also observed.Also,the calculations show that the dielectric function and the absorption coefficientcan be remarkably modulated by O-doping and the mechanisms of the transition between doped and un-dopedare discussed.

关 键 词：密度泛函理论(DFT) 第一性原理 O掺杂MgF2 能带 态密度 

分 类 号：O641[理学—物理化学]