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作 者:孙颖[1] 赵明磊[1] 王春雷[1] 尹传昊[1] 祁晓旭[1] 任丽行[1] 张昆[1]
机构地区:[1]山东大学物理学院,晶体材料国家重点实验室,济南250100
出 处:《硅酸盐学报》2011年第9期1462-1466,共5页Journal of The Chinese Ceramic Society
基 金:国家自然科学基金(50702030);山东省自然科学基金(ZR2010-EQ023);山东大学自主创新基金(2009TS103)资助项目
摘 要:用传统固相烧结工艺制备致密Na0.5Bi4.5Ti4-xO15(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08)系列铋层结构压电陶瓷,研究该系列陶瓷的微观结构、介电性质和压电性质。结果表明:少量Ti不足可以促进Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷晶粒长大并使陶瓷的压电性能获得较大提高;随着x增大,陶瓷的压电常数和机电耦合系数都在x=0.06时呈现最大值,分别为20 pC/N和28%。该系列陶瓷压电性能获得较大提高的主要原因可能与Ti不足(或Na、Bi过量)引起的晶格畸变有关。Bismuth layer-structured Na0.5Bi4.5Ti4–xO15(x = 0,0.02,0.04,0.06,0.08) ceramics were fabricated by conventional solid state process.Microstructure,dielectric and piezoelectric properties of these ceramics were investigated.It is found that a small amount of Ti deficiency can promote grain growth and improve the piezoelectric properties of Na0.5Bi4.5Ti4O15 ceramic.The best piezoelectric properties were obtained for the composition with x = 0.06,d33~20 pC/N and kt~28%.The lattice distortion caused by Ti deficiency may explain the enhancement of piezoelectricity in Na0.5Bi4.5Ti4–xO15 ceramics.
分 类 号:TM22[一般工业技术—材料科学与工程]
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