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机构地区:[1]中国计量学院材料科学与工程学院,杭州310018 [2]同济大学功能材料研究所,上海200092
出 处:《硅酸盐学报》2011年第9期1483-1488,共6页Journal of The Chinese Ceramic Society
基 金:国家“973”计划(2009CB623302)资助项目
摘 要:MgSiO3掺杂Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷具有Ba1-xSrxTiO3、(Ba,Sr)2TiSi2O8、Ba4MgTi11O27和Mg2TiO4多相结构。MgSiO3低掺量(质量分数≤10%)陶瓷样品具有条形晶粒和细晶粒组成的微结构;随着MgSiO3掺量增加,陶瓷样品形成晶粒细小、均匀的微结构;当MgSiO3掺量达到20%时,介电损耗峰出现强的频率弥散特性。随着MgSiO3掺量从5%增加到30%,样品的介电常数和介电可调率分别从582降低到42和17.7%降低到4.0%,而微波损耗从8.6×10-3增加到1.0×10-2。Raman光谱证实(Ba,Sr)2TiSi2O8相的存在,并导致材料微波损耗增加;同时约280 cm-1处的E(TO2)振动模随着MgSiO3掺量的增加而蓝移,导致材料介电常数降低。Ba1–xSrxTiO3,(Ba,Sr)2TiSi2O8,Ba4MgTi11O27,and Mg2TiO4 multi-phases can be observed in MgSiO3-doped Ba0.4Sr0.6TiO3 ceramics.Samples with low dosage(≤10%,mass fraction,the same below) have a bimodal microstructure consisting of strip-shaped grains and fine grains.With increasing MgSiO3 dosage,the samples show a homogeneous microstructure with fine grains.When the MgSiO3 dosage is increased up to 20%,loss tangent peaks show a strong frequency dispersion feature.As MgSiO3 dosage is increased from 5% to 30%,permittivity and tunability decrease from 582 to 42 and 17.7% to 4.0%,respectively;whereas microwave loss increases from 8.6 × 10–3 to 1.0 × 10–2.Raman spectroscopy confirms the formation of(Ba,Sr)2TiSi2O8 phase,which may be attributed to the increase of the microwave loss.Blue-shift of band at ~280 cm–1 assigned to E(TO2) mode with increasing MgSiO3 dosage is responsible for the lower permittivity.
关 键 词:钛酸锶钡陶瓷 介电调谐特性 微波性能 频率弥散特性
分 类 号:TB303[一般工业技术—材料科学与工程]
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