基于不同衬底材料高出光效率LED芯片研究进展  

Progress on LED chips of different substrate with high light extraction efficiency

作　　者：杜晓晴[1] 钟广明[1] 董向坤 田健[1] 王晓兰[1] 

机构地区：[1]光电技术与系统教育部重点实验室,重庆大学光电工程学院,重庆400030

出　　处：《光学技术》2011年第5期521-527,共7页Optical Technique

基　　金：中央高校基本科研业务费资助项目(CDJZR10120014)、(CDJRC10120006)、(CDJXS11120021)

摘　　要：提高LED芯片的出光效率是解决LED光源大功率化和可靠性的根本。根据LED芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高GaN基LED出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构与制备方法。并从材料结构和衬底选取方面,对LED芯片未来的发展趋势进行了展望。Enhancement of the light extraction efficiency of light-emitting diodes（LEDs） is the basic way to realize high-power and reliable LEDs. The progress on improvement of the light extraction efficiency of GaN-based LEDs is summarized. New LED chip design concept, craft structure and fabrication methods are introduced according to different substrate materials. The development trends of LED chips are also predicted on view of material structure and substrate.

关 键 词：发光学 LED出光效率 衬底图案化 衬底转移 垂直结构 

分 类 号：TN312[电子电信—物理电子学]