检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:雷哲锋[1] 王发展[1,2] 赵超[1] 陈霞[2] 王博[2]
机构地区:[1]西安建筑科技大学材料科学与工程学院,西安710055 [2]西安建筑科技大学机电工程学院,西安710055
出 处:《人工晶体学报》2011年第4期1006-1010,共5页Journal of Synthetic Crystals
基 金:陕西省纳米材料与技术重点实验室项目(09JS032);西安市产学研合作项目(2009185)
摘 要:采用基于密度泛函理论(Density functional theory)的计算方法,研究了n=4,6,9的锯齿型(n,0)ZnO单壁纳米管的电子结构,结果表明:锯齿型ZnO单壁纳米管是一种直接宽禁带半导体,其能隙随着横截面的增大而小量增大,并分析了锯齿型单壁纳米管的核外电子分布。The electronic structures of the zigzag single-wall ZnO nanotubes were calculated by first-principles approach based on the density functional theory.The results indicated that the zigzag single-wall ZnO nanotube is a direct band gap semiconductor.The band gap increased along with the cross section of zigzag single-wall ZnO nanotube.The electron density of zigzag single-wall ZnO nanotubes has been analyzed too.
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