Sc掺杂对PDP中MgO薄膜外逸电子发射性能的影响  

Impact of Sc Doping on Exo-Electron Emission of MgO Films in Plasma Display Panel

作　　者：况亚伟[1] Sang-Hoon Yoon Yong-SeogKim 李青[1] 朱笛[1] 张雄[1] 

机构地区：[1]东南大学电子科学与工程学院显示技术研究中心,南京210096 [2]韩国弘益大学材料科学与工程学院

出　　处：《真空科学与技术学报》2011年第5期521-525,共5页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金项目(60571033);国家863项目(2008AA03A308);高等学校学科创新引智计划(111计划)资助项目(B07027)

摘　　要：研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子发射电流,并基于理论模型模拟计算外逸电子发射电流对比实验结果。结果表明Sc掺杂加深了MgO禁带中的电子陷阱深度,延长了MgO薄膜的外逸电子发射的衰减时间。Sc掺杂MgO薄膜具备了持续发射外逸电子的能力,能够实现等离子显示器放电单元稳定快速的寻址。The influence of the Sc-doping on the exo-electron emission characteristics of the MgO protection layers in plasma display panel（PDP） was simulated.The simulated results show that the Sc-doping significantly deepens the electron trap levels in the MgO band gap,and lengthens the decay time in exo-electron emission.In addition,the Sc-doping of the MgO films was found to improve the stability and sustainable emission of the exo-electron,and enables the PDD cell to achieve a faster and more stable address discharge.To test the simulated results,a prototyped 2 inch PDP was constructed.The experimental results agree fairly well with those of the simulation.

关 键 词：等离子体显示器 MgO薄膜 Sc掺杂 外逸电子 

分 类 号：O484[理学—固体物理]