高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究  

Research on quantum efficient fitting and structure of high performance transmission-mode GaAs photocathode

作　　者：赵静[1] 张益军[1] 常本康[1] 熊雅娟[1] 张俊举[1] 石峰[2] 程宏昌[2] 崔东旭[3] 

机构地区：[1]南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094 [2]微光夜视技术国防科技重点实验室.西安710065 [3]西安应用光学研究所,西安710065

出　　处：《物理学报》2011年第10期679-685,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60678043);江苏省普通高校研究生科研创新计划(批准号:CX09B_096Z);南京理工大学自主科研专项计划(批准号:2010ZYTS032)资助的课题~~

摘　　要：为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(≈43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.3—0.5μm,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.1—1.4μm.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4μm厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.1—1.5μm厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350μA/lm以上.To explore the structural feature of high performance transmission-mode GaAs photocathode,the optical properties and shortwave limitation for the transmission-mode quantum efficient formula is modified.By using the modified formula,a high quantum efficient（≈43%） curve of ITT is well fitted.A series of structural parameters is obtained with in a relative error less than 5%,which indicates that the thickness of the Ga1-xAlxAs window layer is 0.3—0.5 μm,the Al mole value is 0.7,and the thickness of the GaAs active layer is 1.1—1.4 μm.In addition,an optimized structure for the uniform-doping transmission-mode GaAs photocathode is suggested based on the fitted results.When the thickness of the Ga1-xAlxAs（x=0.7） layer and the GaAs layer are 0.4 μm and 1.1—1.5 μm respectively,the integral sensitivity can exceed 2350 μA/lm.

关 键 词：透射式GAAS光电阴极 量子效率 积分灵敏度 光学性能 

分 类 号：O462[理学—电子物理学]