脉冲控制忆阻模拟存储器  

Analog Memory Based on Pulse Controlled Memristor

作　　者：胡小方[1] 段书凯[1] 王丽丹[1] 李传东[2] 

机构地区：[1]西南大学电子信息工程学院重庆北碚区400715 [2]重庆大学计算机学院重庆沙坪坝区400033

出　　处：《电子科技大学学报》2011年第5期642-647,共6页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

基　　金：国家自然科学基金(60972155,61101233,60974020);重庆市自然科学基金(CSTC2009BB2305);中央高校基本科研业务费专项(XDJK2010C023,XDJK2010B005);中国博士后科学基金(CPSF20100470116);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(09-2-011);西南大学博士科研资助项目(SWUB2008074),西南大学教育教学改革研究项目(2009JY053,2010JY070)的资助

摘　　要：推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该方案有望实现大规模模拟存储阵列,推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。In this paper, the charge-controlled and flux-controlled memristor mathematical models are derived detailedly. The continuously variable conductance and memory properties of memristors are researched. An implementation scheme for analog memory using pulse controlled memristors is proposed, and its effectiveness is verified through theoretical analysis and simulation experiments. With crossbar array structure, the scheme is expected to achieve large-scale analog storage arrays, which may greatly promote the development of artificial neural networks and analog computers.

关 键 词：模拟存储器 交叉阵列 电荷控制模型 磁通量控制模型 忆阻器 

分 类 号：TM5[电气工程—电器]