忆容器的Simulink模型及其主要特性分析  

Simulink Model of Memcapacitor with the Analysis of Its Main Features

作　　者：何朋飞[1] 王丽丹[1] 段书凯[1] 李传东[2] 

机构地区：[1]西南大学电子信息工程学院重庆北碚区400715 [2]重庆大学计算机学院重庆沙坪坝区400033

出　　处：《电子科技大学学报》2011年第5期648-651,共4页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

基　　金：国家自然科学基金(60972155,61101233,60974020);中国博士后科学基金(CPSF20100470116);中央高校基本科研业务费专项(XDJK2010C023,XDJK2010B005);重庆市自然科学基金(CSTC2009BB2305);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(09-2-011);西南大学博士科研资助项目(SWUB2008074),西南大学教育教学改革研究项目(2009JY053,2010JY070)的资助

摘　　要：针对忆容器在数据读写与存储方面可能会更少丢失数据的优势,介绍了一种忆容器的数学模型,为便于对该忆容器的研究,根据其数学模型,搭建了忆容器的Simulink仿真模型,对该模型进行仿真研究,得到了关于忆容器的典型特性,验证了其有效性,同时,基于忆容器的数学模型,应用matlab研究了输入激励和忆容器的各项参数对忆容器的影响,获得了许多忆容器的新特性和重要的数据,为忆容器应用方面的研究奠定了基础。In contrast to the memristor, the memcapacitor has advantage which produces losses during the reading and writing processes. The mathematic model of a memcapacitor is introduced and its Simulink model is built. The typical characteristics of the memcapacitor is simulated. At the same time, influences of input excitation and different parameters on the memcapacitor are considered and analyzed in details, and obtains a lot of the new characteristics of memcapacitor and important data.

关 键 词：特性分析 忆阻器 忆容器 SIMULINK模型 

分 类 号：TM5[电气工程—电器]