补偿掺杂i层对n-ZnO/i-ZnO/p-Si薄膜太阳能电池性能影响的模拟研究  

The Simulation of the Effect of Compensating Doping i-ZnO Layer on the n-ZnO/i-ZnO/p-Si Solar Cell

作　　者：林家辉[1] 彭启才[1] 赵新为[2] 

机构地区：[1]西华大学材料科学与工程学院,四川成都610039 [2]日本东京理科大学理学部物理学科

出　　处：《西华大学学报（自然科学版）》2011年第5期43-46,共4页Journal of Xihua University:Natural Science Edition

基　　金：教育部"春晖计划"资助项目(z2009-1-61011)

摘　　要：提出一种新型n-ZnO/i-ZnO/p-Si太阳能电池结构,使用AMPS软件对该结构太阳能电池进行了模拟研究,探索H,N杂质补偿掺杂形成本征i层对该结构太阳能电池的影响。研究发现在掺杂浓度为H=1.7×1017,N=2.8×1017时太阳能电池的转换效率可达15%,并对其转换机理进行了研究。In this paper,a new type structure of n-ZnO/i-ZnO/p-Si solar cell is proposed.The performance of the solar cell is simulated by using of AMPS（Analysis of Microelectronic and Photonic Structures）.The effect of the compensating doping i-ZnO layer on the performance of solar cell is explored.It is found in the simulation that a conversion coefficient of 15% is obtained when p-type doping of Nitrogen is 2.8×1017 and n-type doping of Hydrogen is 1.7×1017 in i-ZnO layer.The mechanism of the energy conversion is studied as well.

关 键 词：太阳能电池 ZNO 补偿掺杂 复合率 

分 类 号：TK513.5[动力工程及工程热物理—热能工程]