检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:胡柏林[1] 王丽丹[1] 黄艺文[1] 胡小方[1] 张宇阳[1] 段书凯[1]
机构地区:[1]西南大学物理科学与技术学院电子信息工程学院,重庆400715
出 处:《西南大学学报(自然科学版)》2011年第9期50-56,共7页Journal of Southwest University(Natural Science Edition)
基 金:国家自然科学基金资助项目(60972155;61101233);西南大学第四届本科生创新基金资助项目(0918003);西南大学博士科研资助项目(SWUB2008074);西南大学教育教学改革研究资助项目(2009JY053;2010JY070);重庆市自然科学基金资助项目(CSTC2009BB2305);中央高校基本科研业务费专项资助项目(XDJK2010C023);中国博士后科学基金资助项目(CPSF20100470116);重庆市高等教育教学改革研究重点资助项目(09-2-011)
摘 要:研究了惠普忆阻器的电荷控制和磁通量控制模型,构建了忆阻器的Simulink模型,给出了相应的仿真结果.设计了一种基于MATLAB的图形用户界面,能直观地展示忆阻器特性.通过该界面,可以选择或设定输入电压的类型、参数及忆阻器模型的参数,简单方便地观察对应的输出结果,为人们更直观地学习和研究忆阻器提供一种有效的方法.In this paper,the charge-controlled model and the magnetic flux-controlled model of HP memristor are studied,and the relationship between and variation range of the memristor's charge and magnetic flux are theoretically derived.A Simulink model is built and the corresponding simulation results are given.Finally,a graphical user interface for studying the memristor's features is designed based on Matlab software.Some input signals and parameters can be chosen or set to observe the corresponding outputs.This is an effective method for observing and studying memristors.
关 键 词:忆阻器 电荷 磁通量 SIMULINK模型 图形用户界面
分 类 号:TM132[电气工程—电工理论与新技术]
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