DPVBi空穴阻挡层对OLED性能的优化  

Improvement of OLED Performance by Using DPVBi as Hole-blooking Layer

作　　者：廖亚琴[1,2] 甘至宏[1] 刘星元[1] 

机构地区：[1]中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033 [2]中国科学院研究生院,北京100039

出　　处：《发光学报》2011年第10期1041-1045,共5页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：吉林省科技发展计划(20090346;20100570)资助项目

摘　　要：研究了宽带隙有机小分子材料DPVBi作为空穴阻挡层对OLED器件效率和亮度的优化作用。DPVBi的引入有效地改善了以PEDOT∶PSS做空穴注入层的OLED器件的空穴过剩问题。实验结果表明:通过优化DPVBi的厚度,插入30 nm厚的DPVBi空穴阻拦层可以有效地平衡OLED器件的电子和空穴浓度,降低器件的工作电压,优化器件的各项性能。该器件的效率和亮度分别是器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/NPB/Alq3/LiF/Al参比器件的1.2倍和1.87倍。High performance organic light emitting devices（OLEDs） should have a low operating voltage,high efficiency and relatively good stability.Inserting of a hole blocking layer（HBL） between hole transporting layer（HTL） and electron transporting layer（ETL） is one of the effective method to improve device performances.In this paper,a DPVBi HBL was incorporated in OLED between the PEDOT∶PSS hole injection layer（HIL） and Alq3 ETL.Such a structure helps to reduce the hole-leakage of the cathode,which resulting an enhanced device performances.The optimized device with a thickness of 30 nm DPVBi HBL shows a signi-ficantly improved current efficiency（5.2 cd/A） and luminance（24 350 cd/m2）,which is 20% and 87% higher compared with those data of reference device with the structure of ITO/PEDOT∶PSS/NPB/Alq3/LiF/Al.

关 键 词：有机电致发光器件 空穴阻挡层 DPVBI 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]