消除芯片毛细管电泳弯道效应的新方法  

作　　者：高晓冲[1] 高轻[2] 王震[1] 高瑞昶[1] 

机构地区：[1]天津大学化工学院,天津300072 [2]河北科技大学,河北石家庄050018

出　　处：《化学工程与装备》2011年第10期29-33,共5页Chemical Engineering & Equipment

基　　金：国家自然科学基金面上项目(20976119)

摘　　要：芯片毛细管电泳弯道效应是由于流体在微流道内受弯道影响而产生的屏带展宽,本文经过模拟计算芯片毛细管电泳弯道效应,分析其产生的原因,提出了一种磁场消除弯道效应的新方法,通过施加垂直芯片方向的磁场,改变通道内外两侧电渗强度,来抵消内外流道长度差异引起的弯道效应。经过对磁场对电渗强度的模拟计算,并与径向施加电场法进行对比,结果表明,该方法可极大地削弱芯片毛细管芯片电泳中的弯道效应。

关 键 词：芯片毛细管电泳 电渗 弯道效应 数据模拟 

分 类 号：O658.9[理学—分析化学]