一个6GHz宽带低相位噪声CMOS LC VCO  

A 6 GHz Wideband Low-phase-noise CMOS LC VCO

作　　者：潘姚华[1] 黄煜梅[1] 洪志良[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203

出　　处：《固体电子学研究与进展》2011年第5期478-483,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：863重点资助项目(2009AA011605)

摘　　要：用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器（VCO）。在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现了一个宽带、低增益、低相位噪声VCO。测试结果显示,在中心频率频偏1 MHz处的相位噪声为-119 dBc/Hz,频率调谐范围为6.1~6.7GHz,对应的FOM值达到-188 dB。A 6 GHz low-phase-noise voltage-controlled oscillator（VCO） is realized in 0.13 μm CMOS technology.Based on the analysis of phase noise performance,a wideband,low-KVCO and low-phase-noise VCO is achieved by modifying and improving traditional tuning method,noise filtering circuit and inserting source feedback resisitors.The measurement results show that the VCO has a phase noise of-119 dBc/Hz at 1 MHz offset and a tuning range of 6.1~6.7 GHz.The FOM（figure-of-merit） reaches-188 dB.

关 键 词：压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 源极反馈电阻 噪声滤波 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN752