CLBO晶体的半固结磨粒研磨加工研究  

Research on Semi Bonded Abrasive Lapping of CLBO Crystal

作　　者：郁炜[1] 吕迅[2] 

机构地区：[1]衢州学院信电系,浙江324000 [2]浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室,杭州310032

出　　处：《航空精密制造技术》2008年第6期15-16,24,共3页Aviation Precision Manufacturing Technology

摘　　要：通过对CLBO晶体半固结磨粒研磨过程进行研究,经过粗研和精研后,CLBO晶体表面粗糙度达到1ns且表面无划痕。并从加工表面的扫描电镜图可知,CLBO晶体半固结磨粒研磨的材料去除机理是延性去除模式。The technology of semi bonded abrasive lapping about CLBO was researched. After rough and fine lapping, the CLBO crystal surface roughness can achieve 1nm and keep the surface quality well. The material removal mechanism of CLBO is ductile-regime mode by scan electron microscope.

关 键 词：CLBO 半固结磨粒 研磨 延性域 

分 类 号：TG580.68[金属学及工艺—金属切削加工及机床]