纳米硅变温光致发光谱的研究  

作　　者：苏雄睿[1] 周张凯[1] 翟月英 李敏[1] 宋浩 

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072

出　　处：《科协论坛（下半月）》2007年第4期15-16,共2页Science & Technology Association Forum

摘　　要：研究了纳米硅在3K-250K温度范围的光致发光谱的特性。观测到纳米硅的三个发光峰,其中心波长分别为470nm、479nm和487nm。随着温度的升高,470nm的发光峰呈现蓝移且强度明显增强,479nm的发光峰位不随温度的变化而变化,487nm的发光峰随温度的升高出现微小的红移。基于量子限制效应,提出综合发光模型解释实验结果。

关 键 词：纳米硅 光致发光 量子限制效应 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]