嵌入单量子点A-B环的尺寸效应和Kondo屏蔽效应  

作　　者：何忠[1] 吴绍全[1] 孙威立[1] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院,四川成都610068

出　　处：《广西物理》2005年第1期9-13,共5页Guangxi Physics

基　　金：四川省应用基础研究基金资助项目(OZGY-188)四川省教育厅自然科学学科研究基金资助项目(2003A078)

摘　　要：借助单杂质安德森哈密顿,从理论上研究了处于近藤(Kondo)区附加有磁通的闭合点-环系统的基态性质;并用隶玻色子平均场近似方法求解。结果表明:在零温时,当环中电子的平均能级间隔大于体近藤温度时,抑制近藤效应依然存在。物理量敏感地依赖于系统的宇称和环的尺寸,共存的有限尺寸效应和近藤屏蔽效应带来了丰富的物理内涵。在将来的实验中,通过直接测量持续电流或零场杂质磁化率有可能探测到近藤屏蔽云。

关 键 词：量子点 尺寸效应 近藤效应 屏蔽云 法诺(Fano)共振 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]