半导体激光器  

出　　处：《中国光学》2003年第2期23-23,共1页Chinese Optics

摘　　要：TN248.4 2003020959980nm半导体激光器远场特性的优化=Optimization offar field properties for 980 nm semiconductor lasers[刊,中]/邹德恕(北京工业大学光电子技术实验室.北京(100022)),廉鹏…//半导体光电.-2002,23(4).-259-261制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展。但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ_∥形式多瓣。研究发现这与光刻工艺有着重要关系,利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了上述现象。

关 键 词：半导体激光器 单量子阱激光器 远场特性 自对准 模斑转换器 重要关系 光电子技术 欧姆接触 斜率效率 脊形结构 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]