单晶硅纳米加工机理的分子动力学研究  

Molecular Danamics Study on Cutting Mechanism of Defect-free Monocrystalline Silicon

作　　者：罗熙淳[1] 梁迎春[1] 董申[1] 李广慧[2] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学,哈尔滨150001 [2]哈尔滨锅炉厂,哈尔滨150040

出　　处：《航空精密制造技术》2000年第3期21-24,共4页Aviation Precision Manufacturing Technology

基　　金：国家自然科学基金!59835180

摘　　要：对内部无缺陷的单晶硅的纳米切削过程进行了分子动力学模拟．通过模拟结果，对单晶硅纳米切削中的切屑形成过程和加工表面的形成过程做出了合理的解释．并用第一原理应力计算方法对单晶硅纳米切削过程中的脆塑转变的可行性进行了研究．In this paper,molecular dynamics simulation is carried on the nanometric culling of defect-free monocrystalline silicon. Based on simulations, a reasonable explanation is given to the forming mechanism of chip and surface machined in the cutting process of monocrystalline silicon. Moreover, the feasibility of brittle-ductile transition of monocrystalline Silion is studied with the method of first principle stress.

关 键 词：纳米切削 分子动力学模拟 加工机理 脆塑转变 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]