外腔半导体激光器输出双稳环形状分析  

作　　者：陈建国[1] 李焱[1] 李大义[1] 陆洋[1] 

机构地区：[1]四川大学光电系,成都610064

出　　处：《激光与光电子学进展》1999年第S1期20-24,共5页Laser & Optoelectronics Progress

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：研究了因折射率与载流子相互关联而引起的外腔半导体激光器的双稳特性，分析了不同条件下各种不同形状的载流子密度双稳环，计算了相应情况下的功率双稳环。

关 键 词：外腔 半导体激光器 双稳 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]