超快GaAs:Cr:n光电导器件及应用  

作　　者：温树槐 杨建伦 杨洪琼 

机构地区：[1]成都核物理与化学研究所,成都610003

出　　处：《激光与光电子学进展》1999年第S1期25-27,共3页Laser & Optoelectronics Progress

摘　　要：将加工成一定形状的高电阻率GaAs：Cr：n光电导块放入中子场中辐照，以便减少电荷载流子寿命，再将经过辐照并冷却的GaAs：Cr：n样品置入同轴结构的微带线上。这一技术使GaAs：Cr：n成为皮秒时间响应的光电器件并被用作超高速探测器和光电开关。

关 键 词：时间响应 同轴结构 中子改性 线性电流 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]