MeV质子和^+He离子产生的^(60)Nd、^(62)Sm、^(63)Eu和^(70)YbL L次壳层电离  

作　　者：徐洪杰[1] 陈寿面[1] 杨国华[1] 潘浩昌[1] 朱德彰[1] 

机构地区：[1]中科院上海原子核研究所

出　　处：《原子与分子物理学报》1990年第S1期181-181,共1页Journal of Atomic and Molecular Physics

摘　　要：过去几年中,MeV的质子和+He离子等轻离子轰击中、高Z元素产生L次壳层电离截面的测量研究仍然吸引了国际上许多实验室的注意。这是由于L次壳层电离截面的知识不仅对于发展托克马克、等离子体物理、离子注入和PIXE技术等有重要意义,而且精确的L次壳层电离截面的数据可以用来检验各种电离现象理论模型的正确性,这样的检验可以加深人们对内壳层电离物理机理的理解。

关 键 词：壳层 EU He MEV ND SM YbL L 物理机理 等离子体物理 离子注入 

分 类 号：O4[理学—物理]