质子轰击Ta、Au和Bi引起的M壳电离  

作　　者：刘兆远[1] 马树勋[1] 杨坤山 张华林 陈熙萌[1] 季媛 

机构地区：[1]兰州大学现代物理系

出　　处：《原子与分子物理学报》1990年第S1期190-190,共1页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：国家自然科学基资助项目 编号:1880717

摘　　要：测量带电离子引起的原子内壳层电离截面,越来越激起人们的兴趣。质子轰击重靶,直接库仑电离是主要机制。在诸多内壳层中,K和L壳层的电离,在实验和理论两个方面都进行了较多的研究。有关M壳层的实验数据则很缺乏,并且已有的各家数据间分歧很大。实验结果与ECPSSR理论预言值符合得很差。本工作利用0.6—2.75MeV质子轰击Ta、Au和Bi的薄靶,测量M壳层的X—线产生截面并得到M—壳层的电离截面,实验结果与PWBA理论预期值作了化较。

关 键 词：壳层 AU BI TA 带电离子 理论预言 预期值 碳膜 真空蒸镀 激发曲线 

分 类 号：O4[理学—物理]