BaTiO_3半导瓷晶界结构分析  

作　　者：黄安荣[1] 

机构地区：[1]中科院新疆物理研究所

出　　处：《传感技术学报》1990年第3期47-50,共4页Chinese Journal of Sensors and Actuators

摘　　要：Heywang假定施主掺杂BaTiO₃陶瓷（BFT）的晶粒边界（GB）存在着二维受主型表面态,这些受主中心能从晶粒表层俘获电子,形成一定数量的表面电荷,建立表面电势垒.在耗尽层假设前提下,由解Poisson方程得表面电子势垒（?）₀=N_s²/ε₀ε_r （1）式中:N_s为表面态密度,ε₀ε_r为材料介电常数.在居里点以上,有效介电常数按Curic-Wciss定律急剧减小,表面势垒急剧增加,电阻率（ρ（?）exp（（?）₀

关 键 词：表面态 表面势垒 BaTiO₃ 晶粒边界 耗尽层 表面电势 居里点 外来原子 结构分析 主型 

分 类 号：TP212-55[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]