Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究  

Synthesis and Optoelectrical Properties of Al-Y Co-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films

作　　者：阳生红[1] 蒋志洁[1] 张曰理[1,2] 汤健[1] 王旭升[1] 

机构地区：[1]中山大学光电材料与技术国家重点实验室//物理科学与工程技术学院,广东广州510275 [2]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100

出　　处：《中山大学学报（自然科学版）》2011年第6期35-38,共4页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61176010;61172027);广东省自然科学基金资助项目(S2011010001397)

摘　　要：采用溶胶-凝胶法,在玻璃衬底上制备出Al-Y共掺杂的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明,Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。制备的Al-Y共掺杂ZnO薄膜电阻率最小值为1.63×102Ω·cm,在可见光区(400-800 nm)平均透过率超过85%。The Al-Y co-doped ZnO tranparent conducting thin films were prepared on glass by Sol-Gel method. X-ray diffraction （XRD） showed they have hexagonal wurtzite structure with a C-axis preferred orientation. Its minimum resistivity is 1.63 ×10^2Ω· cm, and the average transmittance in the visible region （400-800 nm） is beyond 85 %.

关 键 词：Al-Y共掺杂 ZnO透明导电薄膜 溶胶-凝胶 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理] TN304[理学—物理]