一种高精度模数混合温度补偿晶体振荡器  

A High-Precision Mixed-Signal Voltage-Controlled Crystal Oscillator with Temperature Compensation

作　　者：刘会娟[1] 伍冬[1] 郑德平[2] 潘立阳[1] 许军[1,3] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]都灵理工大学,意大利都灵10129 [3]清华信息科学与技术国家实验室,北京100084

出　　处：《微电子学》2011年第6期830-833,839,共5页Microelectronics

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2011CBA00602);国家自然科学基金资助项目(60876076);国家重点科技专项(2010ZX01032-1-1-4;2009ZX02023-5-3)

摘　　要：提出了一种对石英晶体振荡器进行温度补偿的模数混合方法。该补偿芯片基于0.18μm标准CMOS工艺实现。采用模拟补偿网络和基于非挥发存储器的数字补偿网络相叠加的方法,对晶体振荡器进行间接补偿,实现了数模混合的片式化,降低了存储器的容量。该方法不需要高压CMOS和EEPROM浮栅器件,降低了工艺成本和功耗。补偿结果显示,温度频率稳定度达到10-7/-40℃～85℃,系统功耗为1.79mA@1.8V。A mixed-signal voltage-controlled crystal oscillator with temperature compensation was implemented in 0.18 μm standard CMOS process.The on-chip compensated network reduced memory capacity in digital network.The circuit needs neither floating-gate nor high-voltage CMOS transistor as required by conventional EEPROM/flash memory,which reduced chip cost and power consumption.Simulation results showed that the proposed circuit had a temperature frequency stability of 10^-7 from-40 ℃ to 85 ℃,and the system consumed 1.79 mA of power from 1.8 V supply.

关 键 词：石英晶体振荡器 模数混合电路 CMOS 

分 类 号：TN752.2[电子电信—电路与系统]